ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FII30-12E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - FII30-12E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - FII30-12E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 20A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 150 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 1.2 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 200 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 33 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FII30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS FII30-12E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FII30-12E | FII30-12E | FII30-06D | FII24N17AH1 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 200 µA | 200 µA | 600 µA | 100 µA |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Box |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 600 V | 1700 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 20A | 2.9V @ 15V, 20A | 2.4V @ 15V, 20A | 6V @ 15V, 16A |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | NPT |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 33 A | 33 A | 30 A | 18 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FII30 | FII30 | FII30 | FII24N17 |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 1.2 nF @ 25 V | 1.2 nF @ 25 V | 1.1 nF @ 25 V | 2.4 nF @ 25 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 150 W | 150 W | 100 W | 140 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FII30-12E PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ FII30-12E - IXYS
IXTQ14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO3PCS30-16I01IXYS / LittelfuseVVV40-16IO1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleFII30-12EIXYSIGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5IXTH24N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 24A TO247FII30-06DIXYSIGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5DS402SE04-874IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMCD56-22IO1BIXYS / LittelfuseIGBT ModuleVUO121-08NO1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleFII24N17AH1IXYSIGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII40-06DIXYSIGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
IXTY1N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 1A TO252
DSS40-0008DIXYSDIODE SCHOTTKY 8V 40A TO247ADMCC310-16IO1BIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMDI400-12E4IXYSIGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LIIXFH30N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
DPG30C200HBIXYSDIODE ARRAY GP 200V 15A TO247ADCS35-10IO2IXYS / LittelfuseIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที