ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FII30-12E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - FII30-12E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - FII30-12E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 20A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 150 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 1.2 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 200 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 33 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FII30 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS FII30-12E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FII30-12E | FII40-06D | FII30-06D | FII30-12E |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 200 µA | 600 µA | 600 µA | 200 µA |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 20A | 2.2V @ 15V, 25A | 2.4V @ 15V, 20A | 2.9V @ 15V, 20A |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | NPT |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 33 A | 40 A | 30 A | 33 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FII30 | FII40 | FII30 | FII30 |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 1.2 nF @ 25 V | 1.6 nF @ 25 V | 1.1 nF @ 25 V | 1.2 nF @ 25 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 150 W | 125 W | 100 W | 150 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FII30-12E PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ FII30-12E - IXYS
FII40-06DIXYSIGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5FII30-06DIXYSIGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5VUO80-16IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMCC200-16IO1BIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 50A SOT227BFII30-12EIXYSIGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5FII30-12DIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDNA120E2200KOIXYSDIODE GP 2.2KV 120A ISOPLUS264MMO230-16I07IXYS / LittelfuseIGBT Module
IXGR32N60CD1IXYSIGBT 600V 45A 140W ISOPLUS247
MDD172-12N1IXYSDIODE MODULE 1.2KV 190A Y4-M6MIXA80W1200TEHIXYSIGBT MODULE 1200V 120A 390W E3VUI72-16N0XTIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN48N55IXYSMOSFET N-CH 550V 48A SOT-227BFII24N17AH1IXYSIGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5VBO13-06NO2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleCS79-08G.2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMCD95-18I01IXYS / LittelfuseIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที