ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FMM65-015P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - FMM65-015P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - FMM65-015P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 230nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 65A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FMM65 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS FMM65-015P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FMM65-015P | FMM75-01F | FMM5605ZET/103 | FMM7G30US60SN |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | Fujitsu Electronics America, Inc. | Fairchild (onsemi) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V | 25mOhm @ 50A, 10V | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150V | 100V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 65A | 75A | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FMM65 | FMM75 | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 4V @ 4mA | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | i4-Pac™-5 | - | - |
| ชุด | - | HiPerFET™ | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 230nC @ 10V | 180nC @ 10V | - | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FMM65-015P PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ FMM65-015P - IXYS
FMM5605ZET/103Fujitsu Electronics America, Inc.FMM7G30US60SNFairchild (onsemi)IGBT ModuleFMM5601ZETFujitsu Electronics America, Inc.FMM7G30US60NFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFMM5701XSEIP (Sumitomo Electric Interconnect Products)FMM640D0B-12IARFIDELIXFMM7G30US60IFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFMM7G15US120Fairchild (onsemi)IGBT ModuleFMM5804VUT/101EUDYNADEVFMM7G20US60IFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFMM7G30US60SIFairchild (onsemi)IGBT ModuleFMM75-01FIXYSMOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5FMM7G20US60Fairchild (onsemi)IGBT ModuleFMM5804YDSEIP (Sumitomo Electric Interconnect Products)FMM5822VUEudynaFMM5605ZETFujitsu Electronics America, Inc.FMM5822VUTFujitsu Electronics America, Inc.FMM5803XSEIP (Sumitomo Electric Interconnect Products)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที