ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXDD408SI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXDD408SI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXDD408SI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 25V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 14ns, 15ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 8A, 8A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDD408 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXDD408SI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXDD408SI | IXDD404PI | IXDD604D2TR | IXDD404SI-16 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 25V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 14ns, 15ns | 16ns, 13ns | 9ns, 8ns | 16ns, 13ns |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-VDFN Exposed Pad | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 2 | 2 | 2 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 3V | 0.8V, 2.5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-DIP | 8-DFN-EP (5x4) | 16-SOIC |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDD408 | IXDD404 | IXDD604 | IXDD404 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Independent | Independent | Independent |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 8A, 8A | 4A, 4A | 4A, 4A | 4A, 4A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDD408SI PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXDD408SI - IXYS
IXDD404PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD404DIIXYS / LittelfuseIXDD604D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDD404SI-16IXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIXDD414CIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXDD604SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD604PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD604D2IXYS / Littelfuse
IXDD604SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXD064WJZZQSharp MicroelectronicsIXDD504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD414SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOICIXDD408PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD404SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD414YIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263IXDD414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD609CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDD604SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที