ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXDI502SIAT/R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXDI502SIAT/R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXDI502SIAT/R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 30V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 7.5ns, 6.5ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 2A, 2A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDI502 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXDI502SIAT/R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXDI502SIAT/R | IXDI502D1T/R | IXDI414PI | IXDI504PI |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 6-DFN (4x5) | 8-DIP | 8-DIP |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 6-VDFN Exposed Pad | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 3V |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 30V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDI502 | IXDI502 | IXDI414 | IXDI504 |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 7.5ns, 6.5ns | 7.5ns, 6.5ns | 22ns, 20ns | 9ns, 8ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 1 | 2 |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 2A, 2A | 2A, 2A | 14A, 14A | 4A, 4A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Single | Independent |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDI502SIAT/R PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXDI502SIAT/R - IXYS
IXDI502D1T/RIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFNIXDI414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDI504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDI409PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDI414IPIXYS / LittelfuseIXDI602PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDI602D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDI404SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI504SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI404SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDI602SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDI602SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI602SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDI414SIAIXY
IXDI609CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDI604SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI414CIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXDI414SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที