ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXDN75N120
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXDN75N120 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXDN75N120
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 75A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 660 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 5.5 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 4 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDN75 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXDN75N120
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXDN75N120 | IXDR30N120D1 | IXDS430SI | IXDP630PI |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS Corporation |
| กทช Thermistor | No | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 660 W | 200 W | - | - |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150 A | 50 A | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Box | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| องค์ประกอบ | Single | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDN75 | IXDR30 | IXDS430 | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 5.5 nF @ 25 V | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 75A | 2.9V @ 15V, 30A | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| อินพุต | Standard | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | ISOPLUS247™ | 28-SOIC | 18-DIP |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 4 mA | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDN75N120 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXDN75N120 - IXYS
IXDR30N120D1IXYSIGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247IXDS430SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 28SOICIXDP630PIIXYS CorporationIC INVERTER INTERFACE 18-DIPixdn60n120dIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDR30N120IXYSIGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
IXDP610PIIXYSIC INTERFACE SPECIALIZED 18DIP
IXDN614YIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5IXDN614SIAIXYS / Littelfuse
IXDN609SITRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN609YIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5IXDN614SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN75N120AU1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN75N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN614SITRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDN614PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDN630YIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXDN609SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN609SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที