ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTP18P10T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTP18P10T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTP18P10T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±15V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | TrenchP™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 9A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2100 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTP18 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTP18P10T
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTP18P10T | IXTP14N60PM | IXTP140P05T | IXTP230N075T2 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 9A, 10V | 550mOhm @ 7A, 10V | 9mOhm @ 70A, 10V | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | 75W (Tc) | 298W (Tc) | 480W (Tc) |
ชุด | TrenchP™ | Polar | TrenchP™ | TrenchT2™ |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2100 pF @ 25 V | 2500 pF @ 25 V | 13500 pF @ 25 V | 10500 pF @ 25 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Tc) | 7A (Tc) | 140A (Tc) | 230A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 600 V | 50 V | 75 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 178 nC @ 10 V |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±15V | ±30V | ±15V | ±20V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220 Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTP18 | IXTP14 | IXTP140 | IXTP230 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTP18P10T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTP18P10T - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที