ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTQ62N15P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTQ62N15P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTQ62N15P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | Polar | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 31A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 350W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2250 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 62A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTQ62 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTQ62N15P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTQ62N15P | IXTQ60N20T | IXTQ60N10T | IXTQ72N20T |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 350W (Tc) | 500W (Ta) | 176W (Tc) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2250 pF @ 25 V | 4530 pF @ 25 V | 2650 pF @ 25 V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 200 V | 100 V | 200 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | 73 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTQ62 | IXTQ60 | IXTQ60 | IXTQ72 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 62A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 72A (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| ชุด | Polar | Trench | Trench | Trench |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 31A, 10V | 40mOhm @ 30A, 10V | 18mOhm @ 25A, 10V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTQ62N15P PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTQ62N15P - IXYS
IXTQ60N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO3PIXTQ60N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 60A TO3PIXTQ72N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 72A TO3PIXTQ48N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 48A TO3PIXTQ75N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO3PIXTQ80N15TIXYS / LittelfuseIXTQ54N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 54A TO3PIXTQ80N28TIXYSMOSFET N-CH 280V 80A TO3PIXTQ50N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 50A TO3PIXTQ50N28TIXYS / LittelfuseIXTQ74N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 74A TO3PIXTQ69N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 69A TO3PIXTQ64N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 64A TO3PIXTQ52N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO3PIXTQ50N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 50A TO3PIXTQ76N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 76A TO3PIXTQ480P2IXYSMOSFET N-CH 500V 52A TO3PIXTQ82N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 82A TO3P| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที