ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BR25G128NUX-3TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - BR25G128NUX-3TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - BR25G128NUX-3TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.6V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | VSON008X2030 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UFDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 128Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 20 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BR25G128 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor BR25G128NUX-3TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BR25G128NUX-3TR | BR25G256FVT-3GE2 | BR25G128FVT-3GE2 | BR25G320NUX-3TR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ขนาดหน่วยความจำ | 128Kbit | 256Kbit | 128Kbit | 32Kbit |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.6V ~ 5.5V | 1.6V ~ 5.5V | 1.6V ~ 5.5V | 1.6V ~ 5.5V |
| เทคโนโลยี | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16K x 8 | 32K x 8 | 16K x 8 | 4K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BR25G128 | BR25G256 | BR25G128 | BR25G320 |
| ความถี่นาฬิกา | 20 MHz | 20 MHz | 20 MHz | 20 MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | 5ms | 5ms | 5ms |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UFDFN Exposed Pad | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) | 8-UFDFN Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | VSON008X2030 | 8-TSSOP-B | 8-TSSOP-B | VSON008X2030 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BR25G128NUX-3TR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ BR25G128NUX-3TR - Rohm Semiconductor
BR25H010FVT-WCE2LAPIS TechnologyBR24T64FVT-WGE2LAPIS TechnologyBR25G256FVT-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOPBR25G128FVT-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOPB
BR252WFORWORDIGBT ModuleBR25G320NUX-3TRRohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT VSON008X2030
BR25G1MF-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOP
BR25H010FVM-2CTRRohm SemiconductorIC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8MSOPBR24T64FVM-WTRRohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT I2C 8MSOP
BR25A1MFJ-3MGE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOPJBR24T64FVT-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOPBR25G320FJ-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT SPI 20MHZ 8SOPJBR256WFORWORDIGBT ModuleBR25H020FJ-WCE2LAPIS TechnologyBR25G256FJ-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 256KBIT SPI 8SOPJBR25G1MFJ-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOPJBR256W MB256WFORWORDIGBT ModuleBR25C320FV-WE2LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที