ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DAP222TL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - DAP222TL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - DAP222TL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EMD3 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DAP222 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor DAP222TL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DAP222TL | DAP222T1 | DAP222T1G | DAP222MT2L |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | onsemi | onsemi | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 100 nA @ 70 V | 100 nA @ 70 V | 100 nA @ 70 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SOT-723 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EMD3 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | VMD3 |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DAP222 | DAP222 | DAP222 | DAP222 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 10 ns | 10 ns | 4 ns |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 100mA (DC) | 100mA (DC) | 100mA |
DAP222 G TLLAPIS TechnologyDAP222T1onsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75DAP236ULAPIS TechnologyDAP222T1GonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75DAP222MLAPIS TechnologyDAP222MT2LRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA VMD3DAP222MGT2LLAPIS Technology
DAP601RONHDAP222GonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75DAP222/TRLAPIS TechnologyDAP236U T106LAPIS Technology
DAP236UT106Rohm SemiconductorRF DIODE STANDARD 35V 150MW UMD3DAP236KLAPIS TechnologyDAP222M T2LLAPIS Technology
DAP7ADR2GAMI Semiconductor/onsemiDAP236KT146LAPIS Technology
DAP222WMTLRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD3DAP222 TLLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที