ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี QS8J4TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - QS8J4TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - QS8J4TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TSMT8 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 550mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | QS8J4 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor QS8J4TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | QS8J4TR | QS8K2TR | QS8J2TR | QS8K13TCR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4A, 10V | 54mOhm @ 3.5A, 4.5V | 36mOhm @ 4A, 4.5V | 28mOhm @ 6A, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 1.5V @ 1mA | 1V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800pF @ 10V | 285pF @ 10V | 1940pF @ 6V | 390pF @ 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A | 3.5A | 4A | 6A |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.5V Drive | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13nC @ 10V | 4.6nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 550mW | 1.25W | 550mW | 550mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | QS8J4 | QS8K2 | QS8J2 | QS8K13 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 30V | 12V | 30V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล QS8J4TR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ QS8J4TR - Rohm Semiconductor
QS8M13 TCRLAPIS TechnologyQS8M11ALAPIS TechnologyQS8K11LAPIS TechnologyQS8K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8QS8J12LAPIS TechnologyQS8J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8QS8M11AZETCRLAPIS TechnologyQS8J2FU7TRLAPIS TechnologyQS8J13LAPIS TechnologyQS8K13TCRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8QS8M1 TLLAPIS Technology
QS8B01IRC / TT ElectronicsQS8M11A TCRLAPIS TechnologyQS8F2TCRRohm SemiconductorMOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8QS8J13TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8QS8J12TCRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8QS8AHR032002BAIRC / TT ElectronicsQS8K11TCRRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที