ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี R6020ANZC8
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - R6020ANZC8 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - R6020ANZC8
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.15V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 120W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2040 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor R6020ANZC8
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | R6020ANZC8 | R6020ENX | R6020KNJTL | R6020JNZC8 |
ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.15V @ 1mA | 4V @ 1mA | 5V @ 1mA | 7V @ 3.5mA |
ชุด | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-3P-3 Full Pack |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 15V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 120W (Tc) | 50W (Tc) | 231W (Tc) | 76W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 10V | 196mOhm @ 10A, 10V | 196mOhm @ 9.5A, 10V | 234mOhm @ 10A, 15V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 45 nC @ 15 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Ta) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | TO-220FM | LPTS | TO-3PF |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2040 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 1550 pF @ 25 V | 1500 pF @ 100 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล R6020ANZC8 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ R6020ANZC8 - Rohm Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที