ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RBR3LAM30ATR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RBR3LAM30ATR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RBR3LAM30ATR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDTM | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-128 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RBR3LAM30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RBR3LAM30ATR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RBR3LAM30ATR | RBR2MM60BTFTR | RBR3MM30ATR | RBR1MM40ATFTR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 30 V | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 30 V | 50 µA @ 40 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 2A | 3A | 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RBR3LAM30 | RBR2MM60 | RBR3MM30 | RBR1MM40 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-128 | SOD-123F | SOD-123F | SOD-123F |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 60 V | 30 V | 40 V |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 3 A | 580 mV @ 2 A | 510 mV @ 3 A | 520 mV @ 1 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDTM | PMDU | PMDU | PMDU |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RBR3LAM30ATR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RBR3LAM30ATR - Rohm Semiconductor
RBR2MM60BTFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
RBR2L40ADDLAPIS TechnologyRBR3MM30ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDURBR1MM40ATFTRRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 40V-VR 1A-RBR2MM60ATFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDURBR3MM60ATFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDURBR3MM40ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDU
RBR3L40ATE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDSRBR1MM60ATFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDURBR3LAM40ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTMRBR3L40BTE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDSRBR2L60BDDLAPIS TechnologyRBR1MM60ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDURBR3MM40ATFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDURBR2MM40BTFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDURBR5L40ATE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 5A PMDSRBR1MM40ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDURBR5L30ATE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที