ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RF081M2STR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RF081M2STR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RF081M2STR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 800 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDU | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 800mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RF081 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RF081M2STR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RF081M2STR | RF081L2STE25 | RF08L6STE25 | RF081MM2STFTR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | SOD-123F |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDU | PMDS | PMDS | PMDU |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 25 ns | 70 ns | 25 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 600 V | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 800 mA | 980 mV @ 1.1 A | 1.3 V @ 800 mA | 980 mV @ 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RF081 | RF081 | RF08L6 | RF081 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 800mA | 1A | 800mA | 800mA |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
RF081L2STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
RF08L6S-TE25LAPIS TechnologyRF081M2STFTRLAPIS TechnologyRF081L2SFJTE25LAPIS TechnologyRF081L2SFJ-TE25LAPIS TechnologyRF081M2SG/TRLAPIS TechnologyRF08L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDSRF081M2SGLAPIS TechnologyRF081M2S/TRLAPIS TechnologyRF081M2SLAPIS TechnologyRF081MM2STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 800MA PMDURF08L6SFJLAPIS TechnologyRF08L6SFJTE25LAPIS TechnologyRF081MM2SLAPIS TechnologyRF08L6SLAPIS TechnologyRF081MM2STRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 800MA PMDURF081MM2S/TRLAPIS TechnologyRF081M2STFETRLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที