ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFNL10TJ6SGC9
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFNL10TJ6SGC9 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFNL10TJ6SGC9
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACFP | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 150 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFNL10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFNL10TJ6SGC9
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFNL10TJ6SGC9 | RFN5B6STL | RFN5BM3STL | RFN3BM6STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 350 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACFP | CPD | TO-252 | TO-252 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 10 A | 1.55 V @ 5 A | 1.5 V @ 5 A | 1.55 V @ 3 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 5A | 5A | 3A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 350 V | 10 µA @ 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 150 ns | 50 ns | 30 ns | 30 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFNL10 | RFN5B | RFN5B | RFN3B |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFNL10TJ6SGC9 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFNL10TJ6SGC9 - Rohm Semiconductor
RFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN5BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 5A TO252
RFNL10TJ6SLAPIS TechnologyRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFNL15TJ6SLAPIS Technology
RFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN5B3SLAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFNL10BM6STLLAPIS TechnologyRFNL15TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 15A TO220ACFPRFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPD
RFNTF1608060BM1TDBWalsin TechnologyRFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN30TS6SGLAPIS TechnologyRFN5BM3S FHHTLLAPIS TechnologyRFND4-31GFMITELRFN5BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252RFNL5BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที