ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFNL15TJ6SGC9
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFNL15TJ6SGC9 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFNL15TJ6SGC9
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACFP | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 160 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFNL15 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFNL15TJ6SGC9
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFNL15TJ6SGC9 | RFN5B2STL | RFN5B6STL | RFN5BM6STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFNL15 | - | RFN5B | RFN5BM6 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | - | 600 V | 600 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACFP | CPD | CPD | TO-252 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 160 ns | 25 ns | 50 ns | 50 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 5A | 5A | 5A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 15 A | 980 mV @ 5 A | 1.55 V @ 5 A | 1.55 V @ 5 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | 150°C | 150°C (Max) | 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPDRFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN5BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252RFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFNL5BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252
RFN5BM3S FHHTLLAPIS Technology
RFN2L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDSRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252
RFN2LAM6STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTMRFN30TS6SGLAPIS Technology
RFNTF1608060BM1TDBWalsin TechnologyRFN5BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 5A TO252RFNL10TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 10A TO220ACFPRFNL15TJ6SLAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFNL10TJ6SLAPIS TechnologyRFNL10BM6STLLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที