ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS206AGC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS206AGC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS206AGC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 6 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 120 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 219pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS206 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS206AGC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS206AGC | SCS208AGHRC | SCS205KGC | SCS208AGC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 1200 V | 650 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 120 µA @ 600 V | 160 µA @ 600 V | 100 µA @ 1200 V | 160 µA @ 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 219pF @ 1V, 1MHz | 291pF @ 1V, 1MHz | 270pF @ 1V, 1MHz | 291pF @ 1V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | 8A | 5A | 8A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS206 | SCS208 | SCS205 | SCS208 |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 6 A | 1.55 V @ 8 A | 1.6 V @ 5 A | 1.55 V @ 8 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS206AGC PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS206AGC - Rohm Semiconductor
SCS206AM CLAPIS TechnologySCS205KGLAPIS TechnologySCS206AG CLAPIS TechnologySCS208AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACSCS205KG CLAPIS TechnologySCS206AGLAPIS TechnologySCS205KGCZLAPIS TechnologySCS205KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220ACSCS160P-TGWILLASSCS208AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACSCS208AG CLAPIS TechnologySCS208AGLAPIS TechnologySCS204FSECOSGMBH
SCS208AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO263ABSCS206AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 6A TO263ABSCS206AMLAPIS TechnologySCS1HA0.1A-AMITSUBISHIIGBT ModuleSCS206AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที