ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS208AMC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS208AMC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS208AMC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FM | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 160 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 291pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS208 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS208AMC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS208AMC | SCS210AGHRC | SCS210AGC | SCS206AMC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 8 A | 1.55 V @ 10 A | 1.55 V @ 10 A | 1.55 V @ 6 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS208 | SCS210 | SCS210 | SCS206 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FM | TO-220AC | TO-220AC | TO-220FM |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 160 µA @ 600 V | 200 µA @ 600 V | 200 µA @ 600 V | 120 µA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 291pF @ 1V, 1MHz | 365pF @ 1V, 1MHz | 365pF @ 1V, 1MHz | 219pF @ 1V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 10A | 10A | 6A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS208AMC PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS208AMC - Rohm Semiconductor
SCS210AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACSCS210AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACSCS210KE2HRLAPIS TechnologySCS208AGLAPIS TechnologySCS206AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 6A TO220FMSCS210AM CLAPIS TechnologySCS210KE2CRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247SCS208AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
SCS208AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO263ABSCS208AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACSCS206AM CLAPIS TechnologySCS210AMLAPIS TechnologySCS208AMLAPIS TechnologySCS210AGLAPIS TechnologySCS208AG CLAPIS TechnologySCS210AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS210AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO263ABSCS208AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที