ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS210KE2C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS210KE2C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS210KE2C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS210KE2C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS210KE2C | SCS210AGHRC | SCS210KGC | SCS208AMC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-220AC | TO-220AC | TO-220FM |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 10A | 10A | 8A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 365pF @ 1V, 1MHz | 550pF @ 1V, 1MHz | 291pF @ 1V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 650 V | 1200 V | 650 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS210 | SCS210 | SCS210 | SCS208 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS210KE2C PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS210KE2C - Rohm Semiconductor
SCS210AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACSCS210KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACSCS208AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220FMSCS210AMLAPIS Technology
SCS212AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS210AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS210AGLAPIS TechnologySCS210KGLAPIS TechnologySCS212AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS212AGLAPIS TechnologySCS210AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACSCS210KGC17Rohm SemiconductorDIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS208AMLAPIS TechnologySCS210AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO263ABSCS212AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS210AM CLAPIS TechnologySCS210KE2HRLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที