ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS212AGC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS212AGC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS212AGC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 240 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 438pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS212 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS212AGC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS212AGC | SCS212AMC | SCS215AEC | SCS215AGC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 12 A | 1.55 V @ 12 A | 1.55 V @ 15 A | 1.55 V @ 15 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220FM | TO-247 | TO-220ACFP |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 438pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz | 550pF @ 1V, 1MHz | 550pF @ 1V, 1MHz |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS212 | SCS212 | SCS215 | SCS215 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 15A | 15A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-247-3 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 240 µA @ 600 V | 240 µA @ 600 V | 300 µA @ 600 V | 300 µA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS212AGC PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS212AGC - Rohm Semiconductor
SCS210KE2HRLAPIS TechnologySCS212AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS210KGLAPIS TechnologySCS210AM CLAPIS TechnologySCS212AWLAPIS TechnologySCS215AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247SCS215AGCRohm SemiconductorDIODE SIC 650V 15A TO220ACFPSCS210KE2LAPIS Technology
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS212AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS210AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS212AGLAPIS TechnologySCS212AMLAPIS TechnologySCS210KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACSCS212AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS210KGC17Rohm SemiconductorDIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS215AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACSCS210KE2CRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที