ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SP8M8TB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SP8M8TB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SP8M8TB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOP | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 520pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.2nC @ 5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A, 4.5A | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SP8M8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SP8M8TB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SP8M8TB | SP8M70TB1 | SP8M6TB | SP8M8FD5TB1 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 4V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A, 4.5A | 3A, 2.5A | 5A, 3.5A | 6A (Ta), 4.5A (Ta) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 250V | 30V | 30V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V | 1.63Ohm @ 1.5A, 10V | 51mOhm @ 5A, 10V | 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 650mW | 2W | 2W (Ta) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.2nC @ 5V | 5.2nC @ 10V | 3.9nC @ 5V | 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 520pF @ 10V | 180pF @ 25V | 230pF @ 10V | 520pF @ 10V, 850pF @ 10V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SP8M8 | SP8M7 | SP8M6 | SP8M8 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SP8M8TB PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SP8M8TB - Rohm Semiconductor
SP8M8F5DTB1LAPIS TechnologySP8M70TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
SP8M8-TBSP8M6TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOICSP8M8FD5TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 8SOPSP8M8FD5TBLAPIS TechnologySP8M8-TB.LAPIS TechnologySP8M63-TBVBSEMISP8U46GETB1LAPIS TechnologySP8M8 F TBLAPIS TechnologySP8M70TB1 MOSLAPIS TechnologySP8U21LAPIS TechnologySP8M7-TBVBSEMISP8M8 FD5TBLAPIS TechnologySP8U46LAPIS TechnologySP8M6-TBVBSEMISP8M7TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOICSP8M8FTBLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที