ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CSD22206W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - CSD22206W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - CSD22206W
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.05V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | -6V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 9-DSBGA | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 2A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.7W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 9-UFBGA, DSBGA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2275 pF @ 4 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14.6 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CSD22206 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments CSD22206W
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | CSD22206W | CSD23201W10 | CSD23280F3T | CSD22205LT |
ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 2A, 4.5V | 82mOhm @ 500mA, 4.5V | 116mOhm @ 400mA, 4.5V | 9.9mOhm @ 1A, 4.5V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Ta) | 2.2A (Tc) | 1.8A (Ta) | 7.4A (Ta) |
Vgs (สูงสุด) | -6V | -6V | -6V | -6V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CSD22206 | CSD232 | CSD23280 | CSD22205 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2275 pF @ 4 V | 325 pF @ 6 V | 234 pF @ 6 V | 1390 pF @ 4 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.05V @ 250µA | 1V @ 250µA | 950mV @ 250µA | 1.05V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | 12 V | 12 V | 8 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.7W (Ta) | 1W (Ta) | 500mW (Ta) | 600mW (Ta) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 9-DSBGA | 4-DSBGA (1x1) | 3-PICOSTAR | 4-PICOSTAR |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ชุด | - | NexFET™ | FemtoFET™ | NexFET™ |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14.6 nC @ 4.5 V | 2.4 nC @ 4.5 V | 1.23 nC @ 4.5 V | 8.5 nC @ 4.5 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 9-UFBGA, DSBGA | 4-UFBGA, DSBGA | 3-XFDFN | 4-XFLGA |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที