ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CSD25301W1015
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - CSD25301W1015 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - CSD25301W1015
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-DSBGA (1x1.5) | |
ชุด | NexFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.5W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-UFBGA, DSBGA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 270 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.2A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CSD2530 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments CSD25301W1015
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | CSD25301W1015 | CSD25213W10 | CSD25202W15 | CSD25211W1015 |
ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.2A (Tc) | 1.6A (Ta) | 4A (Ta) | 3.2A (Ta) |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V | 47mOhm @ 1A, 4.5V | 26mOhm @ 2A, 4.5V | 33mOhm @ 1.5A, 4.5V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1.1V @ 250µA | 1.05V @ 250µA | 1.1V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.5W (Ta) | 1W (Ta) | 500mW (Ta) | 1W (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-DSBGA (1x1.5) | 4-DSBGA (1x1) | 9-DSBGA | 6-DSBGA (1x1.5) |
ชุด | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-UFBGA, DSBGA | 4-UFBGA, DSBGA | 9-UFBGA, DSBGA | 6-UFBGA, DSBGA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 270 pF @ 10 V | 478 pF @ 10 V | 1010 pF @ 10 V | 570 pF @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CSD2530 | CSD25213 | CSD25202 | CSD25211 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V | 2.9 nC @ 4.5 V | 7.5 nC @ 4.5 V | 4.1 nC @ 4.5 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | -6V | -6V | -6V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CSD25301W1015 PDF และเอกสาร Texas Instruments สำหรับ CSD25301W1015 - Texas Instruments
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที