ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CSD25483F4T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - CSD25483F4T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - CSD25483F4T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | -12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-PICOSTAR | |
ชุด | FemtoFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 500mA, 8V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-XFDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 198 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.96 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.6A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CSD25483 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments CSD25483F4T
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | CSD25483F4T | CSD25484F4 | CSD25404Q3 | CSD25484F4T |
ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.15V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 198 pF @ 10 V | 230 pF @ 10 V | 2120 pF @ 10 V | 230 pF @ 10 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 8V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 8V |
Vgs (สูงสุด) | -12V | -12V | ±12V | -12V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 500mA, 8V | 94mOhm @ 500mA, 8V | 6.5mOhm @ 10A, 4.5V | 94mOhm @ 500mA, 8V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CSD25483 | CSD25484 | CSD25404 | CSD25484 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-XFDFN | 3-XFDFN | 8-PowerVDFN | 3-XFDFN |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.96 nC @ 4.5 V | 1.42 nC @ 4.5 V | 14.1 nC @ 4.5 V | 1.42 nC @ 4.5 V |
ชุด | FemtoFET™ | FemtoFET™ | NexFET™ | FemtoFET™ |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) | 500mW (Ta) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.6A (Ta) | 2.5A (Ta) | 104A (Tc) | 2.5A (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-PICOSTAR | 3-PICOSTAR | 8-VSONP (3x3.15) | 3-PICOSTAR |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CSD25483F4T PDF และเอกสาร Texas Instruments สำหรับ CSD25483F4T - Texas Instruments
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที