ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี LF412CN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - LF412CN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - LF412CN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±) | 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 1mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | |
| อัตราสลูว์ | 15 V/µs | |
| ชุด | BI-FET II™ | |
| บรรจุภัณฑ์ | Tube | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| ประเภทขาออก | - | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| จำนวนแผงวงจร | 2 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 4MHz | |
| คำอธิบายโดยละเอียด | J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 3.6mA | |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 50pA | |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน | LF412 | |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments LF412CN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | LF412CN | LF412MH | LF412CP | LF412CDR |
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 4MHz | 4 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | - | - | - |
| จำนวนแผงวงจร | 2 | 2 | 2 | 2 |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน | LF412 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 3.6mA | 3.6mA (x2 Channels) | 4.5mA (x2 Channels) | 4.5mA (x2 Channels) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | TO-99-8 Metal Can | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 50pA | 50 pA | 50 pA | 50 pA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | TO-99-8 | 8-PDIP | 8-SOIC |
| คำอธิบายโดยละเอียด | J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP | - | - | - |
| บรรจุภัณฑ์ | Tube | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ชุด | BI-FET II™ | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 1mV | 1 mV | 500 µV | 500 µV |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±) | 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C | -55°C ~ 125°C | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C |
| อัตราสลูว์ | 15 V/µs | 15V/µs | 13V/µs | 13V/µs |
| ประเภทขาออก | - | - | - | - |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET | J-FET | J-FET | J-FET |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
LF412MJ/883QNSLF412MHTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT TO99-8LF412CNECLF412CPTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIPLF412AMHNSLF412MH/883CNSLF412CDRTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICLF412MH/883NSLF412MJ8NS
LF412CDR2AMI Semiconductor/onsemiLF412J/883NSLF412CDTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICLF412CHNSLF412CDR2GAMI Semiconductor/onsemiLF412CDRG4Texas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICLF412AMJ8NSLF412CMNSLF412MJ/883NS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที