ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี TLE2061IDR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Texas Instruments - TLE2061IDR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Texas Instruments - TLE2061IDR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 7 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 36 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 600 µV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| อัตราสลูว์ | 3.4V/µs | |
| ชุด | Excalibur™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทขาออก | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | |
| จำนวนแผงวงจร | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 2 MHz | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 290µA | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 80 mA | |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 4 pA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TLE2061 | |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Texas Instruments TLE2061IDR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | TLE2061IDR | TLE2062AIDR | TLE2062AID | TLE2062ACD |
| ผู้ผลิต | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 80 mA | 80 mA | 80 mA | 80 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 290µA | 625µA (x2 Channels) | 625µA (x2 Channels) | 625µA (x2 Channels) |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 36 V | 36 V | 36 V | 36 V |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET | J-FET | J-FET | J-FET |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 4 pA | 4 pA | 4 pA | 4 pA |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ประเภทขาออก | - | - | - | - |
| อัตราสลูว์ | 3.4V/µs | 3.4V/µs | 3.4V/µs | 3.4V/µs |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 600 µV | 800 µV | 800 µV | 800 µV |
| ชุด | Excalibur™ | - | - | - |
| จำนวนแผงวงจร | 1 | 2 | 2 | 2 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TLE2061 | TLE2062 | TLE2062 | TLE2062 |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 7 V | 7 V | 7 V | 7 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล TLE2061IDR PDF และเอกสาร Texas Instruments สำหรับ TLE2061IDR - Texas Instruments
TLE2042IDWTexas InstrumentsTLE2062AIDRTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICTLE2062AIDTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICTLE2062ACDTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
TLE2061ACPTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIPTLE2061AIPTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIPTLE2061AMTexas InstrumentsTLE2061AIDRTexas InstrumentsTLE2062Texas InstrumentsTLE2062ACDRTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICTLE2061CPTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIPTLE2062AMDTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOICTLE2061CDRTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOICTLE2061ACDRTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOICTLE2061MJGBTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8CDIPTLE2062AIDRG4Texas InstrumentsIC OPAMP JFET 2MHZ 8SOICTLE2061IPTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIPTLE2061CDTexas InstrumentsIC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที