ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR4100
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Yangjie Technology - MUR4100 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Yangjie Technology - MUR4100
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.85 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Yangjie Technology MUR4100
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR4100 | MUR405G | MUR4100E | MUR410G |
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | onsemi | onsemi | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 50 V | 1000 V | 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | Axial | Axial | Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 4A | 4A | 4A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.85 V @ 4 A | 890 mV @ 4 A | 1.85 V @ 4 A | 890 mV @ 4 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 35 ns | 100 ns | 35 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 50 V | 25 µA @ 1000 V | 5 µA @ 100 V |
MUR405GonsemiDIODE GEN PURP 50V 4A AXIALMUR4100EonsemiDIODE GEN PURP 1KV 4A AXIALMUR410GonsemiDIODE GEN PURP 100V 4A AXIALMUR405RLGAMI Semiconductor/onsemiMUR400A60CTIXFNIGBT ModuleMUR405onsemiDIODE GEN PURP 50V 4A AXIALMUR4100ERLGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 4A AXIALMUR410RLonsemiDIODE GEN PURP 100V 4A AXIALMUR400A40CTIXFNIGBT ModuleMUR410onsemiDIODE GEN PURP 100V 4A AXIALMUR4100ERLonsemiDIODE GEN PURP 1KV 4A AXIALMUR4100GYFWMUR4100EGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 4A AXIAL
MUR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 200A 2TOWERMUR410RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 4A AXIALMUR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 200A 2TOWERMUR4100RLGAMI Semiconductor/onsemiMUR4060PTON/GI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที