ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1184R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1184R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1184R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 110 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1184 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1184R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1184R | 1N1184R | 1N1186 | 1N1184RA |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-4 | DO-4 |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1184 | 1N1184R | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 12A | 12A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 110 A | 1.2 V @ 35 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1184R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1184R - Microchip Technology
1N1184RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO51N1186Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1184Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184CIRIGBT Module
1N1185AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1185ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186Microchip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO51N1184ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1184RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1184ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N1184Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1184AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 40A DO51N1184ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1185Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1185Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 35A DO51N1184AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที