ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2137R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N2137R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N2137R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N2137R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2137R | 1N2138A | 1N2137AR | 1N2137 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | 600 V | 500 V | 500 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 500 V | 25 µA @ 600 V | 10 µA @ 50 V | 25 µA @ 500 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.1 V @ 60 A | 1.25 V @ 200 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 70A | 60A | 70A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2137R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N2137R - Microchip Technology
1N2138AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 70A DO51N2137ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 500V 60A DO51N2137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 70A DO51N2136RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 450V 70A DO51N2137RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 500V 70A DO5
1N2138ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 70A DO51N2137RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 70A DO51N2138ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 60A DO51N2137ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 500V 70A DO51N2138Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 70A DO51N2138Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 70A DO51N2137AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 60A DO51N2137RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 70A DO51N2137ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 70A DO51N2138AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 60A DO51N2136RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 450V 70A DO51N2137Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 70A DO51N2137AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที