ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3622
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3622 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3622
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3622
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3622 | 1N3623 | 1N3620R | 1N3622R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 400 V | 600 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 30 A | 1 V @ 30 A | 1.2 V @ 50 A | 1.2 V @ 50 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V | 1.5 µA @ 400 V | 1 mA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3622 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3622 - Microchip Technology
1N3623Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3620RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 16A DO41N3622RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3621Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3620Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA1N3623RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3619RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N3621Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3622Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 25A DO41N3624RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3622RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3620Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 16A DO41N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3623Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3621RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที