ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3623R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3623R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3623R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 750 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3623R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3623R | 1N3649R | 1N3623R | 1N3621 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 750 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 750 µA @ 800 V | 1.25 µA @ 500 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 800 V | 800 V | 500 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | 1.1 V @ 1 A | 1.2 V @ 50 A | 1.2 V @ 50 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 3.3A | 16A | 16A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 | DO-4 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3623R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3623R - Microchip Technology
1N3649RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 3.3A DO41N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3621Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3624RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4
1N3624RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 25A DO41N3621Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3621RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3649RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3622RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3622RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3622Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3649Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO41N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3623Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3623Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที