ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3671
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3671 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3671
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 22A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3671 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3671
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3671 | 1N3665R | 1N3672 | 1N3664 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 900 V | 500 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 35 A | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 35 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3671 | - | 1N3672 | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 22A | 35A | 22A | 35A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 900 V | 10 µA @ 500 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Press Fit | Stud Mount | Press Fit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-21 | DO-4 (DO-203AA) | DO-21 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3671 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3671 - Microchip Technology
1N3665RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO211N3672Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3664Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 35A DO211N3670AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO4
1N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3672AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA1N3670ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3670Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3672ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO4
1N3671AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 12A DO41N3664RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 500V 35A DO211N3670RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 22A DO41N3671Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3671ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3671AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA1N3671RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO41N3665Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที