ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3765
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3765 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3765
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 700 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 700 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3765
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3765 | 1N3766 | 1N3744R | 1N3765R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-9 | DO-5 (DO-203AB) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 275A | 35A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 90 A | 1.2 V @ 35 A | 1.3 V @ 300 A | 1.2 V @ 90 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 700 V | 800 V | 1400 V | 700 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 700 V | 10 µA @ 50 V | 75 µA @ 1400 V | 10 µA @ 700 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3765 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3765 - Microchip Technology
1N3766GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 35A DO51N3744RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.4KV 275A DO91N3765RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 35A DO51N3743RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 275A DO91N3765RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 700V 35A DO51N3765GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 700V 35A DO5
1N3765Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 40A DO51N3743RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.2KV 275A DO205AB
1N3744RPowerex Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO2051N3744RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.4KV 275A DO205AB1N3742RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N3744Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 275A DO91N3743RPowerex Inc.RECTIFIER STUD MOUNT DO-91N3766Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3766Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 40A DO51N3765RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 40A DO51N3744Microchip TechnologyDIODE GP 1.4KV 275A DO205AB DO91N3744Powerex Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที