ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4138R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4138R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4138R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4138R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4138R | 1N413B | 1N412B | 1N412B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 200 V | 100 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 100A | 100A | 100A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 (DO-203AB) | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-205AA (DO-8) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 600 V | 50 µA @ 200 V | 50 µA @ 100 V | 50 µA @ 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4138R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4138R - Microchip Technology
1N413BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N412BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO8
1N4137RMicrosemiIGBT Module1N412BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
1N4148Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4138AMicrosemiIGBT Module1N4138Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 70A DO51N4136Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 70A DO5
1N4148Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI1N4128RMicrosemiIGBT Module1N4148Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N413BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO81N4136RMicrosemiIGBT Module1N4137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 70A DO5
1N4148Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4147WDiodes Incorporated
1N4148SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
1N4148onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที