ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5819G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5819G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5819G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO041, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5819G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5819G | 1N5819HW-7-F | 1N5819G | 1N5819HW1-7-F |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Diodes Incorporated | onsemi | Diodes Incorporated |
| ชุด | - | - | - | SBR® |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 40 V | 1 mA @ 40 V | 1 mA @ 40 V | 500 µA @ 40 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | SOD-123 | Axial | SOD-123F |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 60pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 10V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO041, Axial | SOD-123 | DO-204AL, DO-41, Axial | SOD-123F |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Super Barrier |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 1 A | 450 mV @ 1 A | 600 mV @ 1 A | 510 mV @ 1 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 125°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5819G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5819G - Microchip Technology
1N5819HW-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD1231N5819GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL
1N5819HWSIPUSEMI1N5819HSKEFAN1N5819LT1GCJ1N5819HW1-7-FDiodes IncorporatedDIODE SBR 40V 1A SOD123F1N5819/SS14TOSHIBA/GC1N5819HW-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD1231N5819FLPJ1N5819A-01Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY DO41
1N5819-TPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819HWQ-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD1231N5819-S41N5819HW-7-GDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD1231N5819AXX
1N5819-FAMI Semiconductor/onsemi
1N5819-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL1N5819-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที