ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N6622US
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N6622US คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N6622US
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 1.2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 660 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A-MELF | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, A | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 660 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6622 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N6622US
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N6622US | 1N6642US | 1N6626US | 1N6479-E3/96 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 1.2 A | 1.2 V @ 100 mA | 1.35 V @ 2 A | 1.1 V @ 1 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 660 V | 75 V | 220 V | 100 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 660 V | 500 nA @ 75 V | 2 µA @ 220 V | 10 µA @ 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | 40pF @ 10V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 5 ns | 30 ns | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A-MELF | D-5D | A-MELF | DO-213AB |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.2A | 300mA | 1.75A | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ชุด | - | - | - | SUPERECTIFIER® |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6622 | 1N6642 | 1N6626 | 1N6479 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, A | SQ-MELF, D | SQ-MELF, A | DO-213AB, MELF (Glass) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N6622US PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N6622US - Microchip Technology
1N6642USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D
1N6515VMI
1N6634USMicrochip TechnologyDIODE ZENER 3.9V 5W D5B
1N6478-E3/75Electro-Films (EFI) / Vishay1N6626USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF1N6479-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB1N6515LLVMI1N6627USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF
1N6626UE3Microchip TechnologyDIODE GP 200V 1.75A E AXIAL1N6626UMicrochip TechnologyDIODE GP 220V 1.75A SQ-MELF B1N6517LLVMI1N6529VMI1N6478-E3/76Electro-Films (EFI) / Vishay1N6621USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF1N6A04FD1N6513VWI1N6484-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB1N6492Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที