ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N1711
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N1711 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N1711
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-5AA | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500 mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N1711
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N1711 | 2N1613 | 2N1724 | 2N1613 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Harris Corporation | Microchip Technology | STMicroelectronics |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500 mA | 500 mA | 5 A | 500 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | 175°C | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA | 1.5V @ 15mA, 150mA | 600mV @ 200mA, 2A | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Stud Mount | Through Hole |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | 40 @ 150mA, 10V | 30 @ 2A, 15V | 40 @ 150mA, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | 800 mW | 3 W | 800 mW |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-5AA | TO-39 (TO-205AD) | TO-61 | TO-39 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 30 V | 80 V | 50 V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10nA (ICBO) | 10nA (ICBO) | 300µA | 10nA (ICBO) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | 80MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N1711 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N1711 - Microchip Technology
2N1603Solid State Inc.TO 64 REVERSE BLOCKING SCR2N1770ASTMicroelectronicsIGBT Module2N1773Solid State Inc.TO64 8 AMP SCR2N1613Harris CorporationTRANS NPN 30V 0.5A TO392N1771Solid State Inc.TO64 8 AMP SCR
2N1772ACentral Semiconductor CorpSCR 7.4A 100V TO-642N1724Microchip TechnologyPOWER BJT2N1613STMicroelectronicsTRANS NPN 50V 0.5A TO392N1711Solid State Inc.TRANS NPN 130V 1A TO39
2N1613Microchip TechnologyTRANS NPN 30V 0.5A TO392N1604Solid State Inc.TO 64 REVERSE BLOCKING SCR2N1772Solid State Inc.TO64 8 AMP SCR2N1700Harris CorporationNPN TRANSISTOR2N1700Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N1711STMicroelectronicsTRANS NPN 50V 0.5A TO392N1770STMicroelectronicsIGBT Module2N1711SMicrochip TechnologyNPN TRANSISTOR2N1771ASTMicroelectronicsIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที