ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N1711S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N1711S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N1711S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N1711 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N1711S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N1711S | 2N1700 | 2N1613 | 2N1711 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Harris Corporation | Microchip Technology | STMicroelectronics |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | - | 40 @ 150mA, 10V | 35 @ 100mA, 10V |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | - | NPN | NPN |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | 100MHz |
| ชุด | - | * | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10nA (ICBO) | - | 10nA (ICBO) | 10nA (ICBO) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | - | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500 mA | - | 500 mA | 500 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | - | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N1711 | - | - | 2N17 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | - | 30 V | 50 V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA | - | 1.5V @ 15mA, 150mA | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | - | 800 mW | 800 mW |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N1711S PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N1711S - Microchip Technology
2N1700Harris CorporationNPN TRANSISTOR
2N1772Solid State Inc.TO64 8 AMP SCR2N1770ASTMicroelectronicsIGBT Module2N1613Microchip TechnologyTRANS NPN 30V 0.5A TO39
2N1772ACentral Semiconductor CorpSCR 7.4A 100V TO-642N1711STMicroelectronicsTRANS NPN 50V 0.5A TO392N1771Solid State Inc.TO64 8 AMP SCR
2N1711Microchip TechnologyTRANS NPN 50V 0.5A TO52N1773ASTMicroelectronicsIGBT Module2N1711Solid State Inc.TRANS NPN 130V 1A TO392N1613STMicroelectronicsTRANS NPN 50V 0.5A TO392N1724Microchip TechnologyPOWER BJT2N1604Solid State Inc.TO 64 REVERSE BLOCKING SCR2N1613Harris CorporationTRANS NPN 30V 0.5A TO392N1770STMicroelectronicsIGBT Module2N1700Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N1773Solid State Inc.TO64 8 AMP SCR2N1771ASTMicroelectronicsIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที