ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N3500
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N3500 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N3500
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 (TO-205AD) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 150mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 300 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N3500 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N3500
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N3500 | 2N3507 | 2N3486A | 2N3468 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | PNP | PNP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 150mA, 10V | 35 @ 500mA, 1V | 100 @ 150mA, 10V | 25 @ 1A, 5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 175°C |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | 500MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 | TO-46-3 | TO-39 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | 50 V | 60 V | 50 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N3500 | 2N3507 | 2N3486 | 2N3468 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W | 1 W | 400 mW | 1 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 300 mA | 3 A | 600 mA | 1 A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA (ICBO) | 1µA | 10µA (ICBO) | 100nA |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA | 1.5V @ 250mA, 2.5A | 1.6V @ 50mA, 500mA | 1.2V @ 100mA, 1A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N3500 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N3500 - Microchip Technology
2N3507JMOT2N3507Microchip TechnologyNPN POWER SILICON TRANSISTORS2N3486AMicrochip TechnologyTRANS PNP 60V 0.6A TO46-32N3468Microchip TechnologyTRANS PNP 50V 1A TO39
2N3494Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT
2N3504STMicroelectronics2N3501UBMicrochip TechnologyTRANS NPN 150V 0.3A UB2N3501Microchip TechnologyTRANS NPN 150V 0.3A TO392N3467Microchip TechnologyTRANS PNP 40V 1A TO392N3440Solid State Inc.TRANS NPN 250V 1A TO39
2N3500Solid State Inc.SILICON TRANSISTOR NPN TO-392N3503NS
2N3507Central Semiconductor Corp2N35072N3501Solid State Inc.BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN
2N3497Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT2N3440Microchip TechnologyTRANS NPN 250V 1A TO39
2N3442GonsemiTRANS NPN 140V 10A TO2042N3468Central Semiconductor CorpTRANSISTOR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที