ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N3637UB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N3637UB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N3637UB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 175 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UB | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-SMD, No Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 50mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N3637 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N3637UB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N3637UB | 2N3637 | 2N3637 | 2N3583 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 50mA, 10V | 100 @ 50mA, 10V | - | 40 @ 500mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | 10µA | - | 10mA |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N3637 | 2N3637 | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5 W | 1 W | - | 35 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bulk | Bulk | Box |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | PNP | NPN |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | UB | TO-39 | TO-39 | TO-66 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA | 600mV @ 5mA, 50mA | - | 5V @ 125mA, 1A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-SMD, No Lead | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-213AA, TO-66-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 175 V | 175 V | - | 175 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | 1 A | - | 1 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N3637UB PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N3637UB - Microchip Technology
2N3652IRIGBT Module2N3654IRIGBT Module2N3641Central Technologies2N3637Microchip TechnologyTRANS PNP 175V 1A TO392N3653IRIGBT Module2N3645MOTOROLA2N3651IRIGBT Module2N3637Solid State Inc.TRANS PNP TO392N3583Solid State Inc.TRANS NPN 175V 1A TO66
2N3636Microchip TechnologyTRANS PNP 175V 1A TO392N3585Microchip TechnologyNPN POWER SILICON TRANSISTORS2N3638AUPI2N3635Microchip TechnologyTRANS PNP 140V 1A TO392N3642FCS2N3585NTE Electronics, IncTRANS NPN 300V 2A TO662N3585Solid State Inc.TRANS NPN 300V 2A TO66
2N3649MicrosemiIGBT Module2N3583Microchip TechnologyTRANS NPN 175V 0.01A TO66| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที