ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N3749
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N3749 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N3749
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-111 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-111-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 1A, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 20µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N3749
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N3749 | 2N3771 | 2N3767 | 2N3766 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 20µA | 10mA | 500µA | 500µA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 40 V | 80 V | 60 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 1A, 2V | 15 @ 15A, 4V | 40 @ 500mA, 5V | 40 @ 500mA, 5V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 200kHz | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-111-4, Stud | TO-204AA, TO-3 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-213AA, TO-66-2 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | 150 W | 25 W | 25 W |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-111 | TO-3 | TO-66 (TO-213AA) | TO-66 (TO-213AA) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A | 4V @ 6A, 30A | 2.5V @ 100mA, 1A | 2.5V @ 100mA, 1A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | 30 A | 500 µA | 500 µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N3749 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N3749 - Microchip Technology
2N3771STMicroelectronicsTRANS NPN 40V 30A TO32N3767Microchip TechnologyTRANS NPN 80V 500UA TO662N3766Microchip TechnologyTRANS NPN 60V 500UA TO662N3771Solid State Inc.TRANS NPN 40V 30A TO3
2N3741Central Semiconductor CorpTRANSISTOR2N3771NTE Electronics, IncTRANS NPN 40V 30A TO32N3741Microchip TechnologyPNP TRANSISTOR2N3737Microchip TechnologyTRANS NPN 40V 1.5A TO46-32N3737AMOTOROLA2N3740Central Semiconductor CorpTRANSISTOR
2N3771GSanyoHIGH POWER NPN SILICON POWER TRA
2N3762Microchip TechnologyTRANS PNP 40V 1.5A TO392N3739Microchip TechnologyTRANS NPN 300V 1A TO662N3742MOT2N3740AMicrochip TechnologyPNP TRANSISTOR2N3771Microchip TechnologyTRANS NPN 40V 30A TO32N3740Microchip TechnologyPNP TRANSISTOR
2N3771PSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที