ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N4999
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N4999 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N4999
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | - | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-59 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 35 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N4999
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N4999 | 2N4923 | 2N4998 | 2N4921G |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount | Through Hole |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | - | 600mV @ 100mA, 1A | 850mV @ 200µA, 1mA | 600mV @ 100mA, 1A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | 1 A | 2 A | 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-59 | TO-126 | TO-59 | TO-126 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Bulk | Bulk |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 3MHz | - | 3MHz |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 35 W | 30 W | 35 W | 30 W |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | - | 30 @ 500mA, 1V | - | 30 @ 500mA, 1V |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 80 V | 40 V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 500µA | - | 500µA |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | NPN | NPN |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-210AA, TO-59-4, Stud | TO-225AA, TO-126-3 | TO-210AA, TO-59-4, Stud | TO-225AA, TO-126-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N4999 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N4999 - Microchip Technology
2N4923NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 1A TO1262N4998Microchip TechnologyPOWER BJT2N4921GonsemiTRANS NPN 40V 1A TO1262N4932MOTOROLAIGBT Module
2N4929Amphenol SSI Technologies2N4920onsemiTRANS PNP GP 1A 80V TO225AA2N4919GonsemiTRANS PNP 60V 1A TO1262N4920GonsemiTRANS PNP 80V 1A TO1262N4933MOTOROLAIGBT Module2N4988Harris CorporationSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N4923STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 1A SOT-322N4923GonsemiTRANS NPN 80V 1A TO1262N4923onsemiTRANS NPN 80V 1A TO1262N4927MOT
2N4957Microsemi CorporationRF TRANS PNP 30V 30MA TO722N4920Solid State Inc.TRANS PNP 80V 1A TO1262N4922GonsemiTRANS NPN 60V 1A TO126
2N4922AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที