ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT200GN60J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT200GN60J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT200GN60J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.85V @ 15V, 200A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 682 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 14.1 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 25 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 283 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT200 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT200GN60J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT200GN60J | APT200GN60JDQ4 | APT200GT60JR | APT1608ZGCK-AMT |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | KINGBRIGTH |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT200 | APT200 | APT200 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | SOT-227 | - |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | NPT | - |
| กทช Thermistor | No | No | No | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 14.1 nF @ 25 V | 14.1 nF @ 25 V | 8.65 nF @ 25 V | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 682 W | 682 W | 500 W | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tray | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 25 µA | 50 µA | 25 µA | - |
| ชุด | - | - | Thunderbolt IGBT® | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 283 A | 283 A | 195 A | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | ISOTOP | SOT-227-4, miniBLOC | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.85V @ 15V, 200A | 1.85V @ 15V, 200A | 2.5V @ 15V, 200A | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT200GN60J PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT200GN60J - Microchip Technology
APT1608ZGCK-AMTKINGBRIGTH
APT200GH60JMicrosemiIGBT Module
APT2012ECKingbrightLED RED CLEAR CHIP SMD
APT17NTR-G1Diodes IncorporatedTRANS NPN 480V 0.05A SOT23-3
APT19M120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOPAPT200GN60JDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOPAPT200GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 195A 500W SOT227APT19F100JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP
APT18M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 18A TO247
APT17ZTR-G1Diodes IncorporatedIC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92APT2012CGCKKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMDAPT2012-ADE47KINGBRIGH
APT2012ID-ATKingbrightAPT18M80BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 19A TO247APT17F120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOPAPT2012MBCKKingbrightAPT2012LQBC/DKingbrightAPT200GT60JRDLMicrosemiIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที