ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT40GP60J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT40GP60J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT40GP60J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 40A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 284 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| กทช Thermistor | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.61 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 86 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT40GP60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT40GP60J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT40GP60J | APT40GP90JDQ2 | APT40GP90J | APT40GF120JRD |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.61 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V | 3.3 nF @ 25 V | 3.45 nF @ 25 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | 350 µA | 250 µA | 500 µA |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 40A | 3.9V @ 15V, 40A | 3.9V @ 15V, 40A | 3.4V @ 15V, 50A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 900 V | 900 V | 1200 V |
| ชุด | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | - |
| ประเภท IGBT | PT | PT | PT | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® | SOT-227 (ISOTOP®) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT40GP60 | APT40GP90 | APT40GP90 | APT40 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 284 W | 284 W | 284 W | 390 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | ISOTOP | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 86 A | 64 A | 68 A | 60 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT40GP60J PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT40GP60J - Microchip Technology
APT40DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 40A TO247
APT40GR120B2SCD10Microsemi CorporationIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40GR120SMicrochip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W D3PAKAPT40GP90JDQ2Microchip TechnologyIGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOPAPT40DQ100BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 40A TO247APT40GP90JMicrochip TechnologyIGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOPAPT40GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP
APT40M35JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 93A ISOTOPAPT40DR160HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227
APT40DQ120BAPTAPT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY GP 600V 40A TO247APT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 900V 101A 543W TMAXAPT40G100ANAPTAPT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 543W TO247APT40GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 80A 345W TO247APT40GT60BRAPTAPT40DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 40A TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที