ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT50GF120JRD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT50GF120JRD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT50GF120JRD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.4V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 (ISOTOP®) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 460 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.45 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 750 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT50GF120JRD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT50GF120JRD | APT50GF60JU2 | APT50GF120JRDQ3 | APT50GF60JU3 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| ประเภท IGBT | - | NPT | NPT | NPT |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 750 µA | 40 µA | 750 µA | 40 µA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.4V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 50A | 3V @ 15V, 75A | 2.7V @ 15V, 50A |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 460 W | 277 W | 521 W | 277 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT50 | - | APT50GF120 | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 75 A | 120 A | 75 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | ISOTOP | ISOTOP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 (ISOTOP®) | SOT-227 | ISOTOP® | SOT-227 |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.45 nF @ 25 V | 2.25 nF @ 25 V | 5.32 nF @ 25 V | 2.25 nF @ 25 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT50GF120JRD PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT50GF120JRD - Microchip Technology
APT50GN120B2MICROSEAPT50GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227APT5025BVRAPTAPT50GF60LRDAPTIGBT ModuleAPT50GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOPAPT5030AVRAPTAPT50GF60BRAPTAPT5024SVRAPTAPT5025ANAPT
APT50GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 134A 543W TO-247
APT5025BNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 500V 23A TO247ADAPT50GF120LRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 135A 781W TO264APT50GF60HRAPTIGBT ModuleAPT50GF60B2RDAPTIGBT ModuleAPT50GF60JU3Microsemi CorporationIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227APT502JMicrosemiIGBT ModuleAPT50DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227APT5025BNRAPTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที