ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT50GF120LRG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT50GF120LRG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT50GF120LRG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3V @ 15V, 50A | |
| ทดสอบสภาพ | 800V, 50A, 1Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 25ns/260ns | |
| การสลับพลังงาน | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 [L] | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 781 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 340 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 135 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT50GF120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT50GF120LRG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT50GF120LRG | APT50GN60BDQ2G | APT50GN120B2G | APT5028BVR |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | APT |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 781 W | 366 W | 543 W | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 25ns/260ns | 20ns/230ns | 28ns/320ns | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | 150 A | 150 A | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 [L] | TO-247 [B] | - | - |
| ทดสอบสภาพ | 800V, 50A, 1Ohm, 15V | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V | 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 1200 V | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3V @ 15V, 50A | 1.85V @ 15V, 50A | 2.1V @ 15V, 50A | - |
| ประเภท IGBT | NPT | Trench Field Stop | NPT, Trench Field Stop | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 340 nC | 325 nC | 315 nC | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT50GF120 | APT50GN60 | APT50GN120 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 | TO-247-3 Variant | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 135 A | 107 A | 134 A | - |
| การสลับพลังงาน | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) | 1185µJ (on), 1565µJ (off) | 4495µJ (off) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT50GF120LRG PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT50GF120LRG - Microchip Technology
APT5028BVRAPTIGBT ModuleAPT50GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 107A 366W TO247
APT50GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOPAPT50DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227APT5030AVRAPTAPT50GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOPAPT50GF60BRAPTAPT50GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 134A 543W TO-247APT50GF60HRAPTIGBT ModuleAPT5025BNRAPTIGBT ModuleAPT50GF60B2RDAPTIGBT ModuleAPT50GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227APT50GF100BNAPTIGBT ModuleAPT50GF60JU3Microsemi CorporationIGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227APT50GN120B2MICROSE
APT502JMicrosemiIGBT ModuleAPT50GF60LRDAPTIGBT ModuleAPT5025BVRAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที