ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT65GP60B2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT65GP60B2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT65GP60B2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 65A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 65A, 5Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 30ns/91ns | |
| การสลับพลังงาน | 605µJ (on), 896µJ (off) | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 833 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 210 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 250 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT65GP60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT65GP60B2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT65GP60B2G | APT75DF170HJ | APT6M100K | APT70SM70B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 65A, 5Ohm, 15V | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT65GP60 | APT75DF170 | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 833 W | - | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 210 nC | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| ชุด | POWER MOS 7® | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 30ns/91ns | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 65A | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 605µJ (on), 896µJ (off) | - | - | - |
| ประเภท IGBT | PT | - | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 250 A | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 | TO-247-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT65GP60B2G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT65GP60B2G - Microchip Technology
APT75DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 75A SOT227APT6M100KMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1000V 6A TO220APT70SM70BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A TO247APT60S20SAPT
APT65GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT 600V 130A 431W SOT227APT60N90JC3GMicrosemiIGBT ModuleAPT60N80JC3MicrosemiIGBT ModuleAPT60TG60JRDMicrosemiIGBT Module
APT66M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A T-MAXAPT60M90JNMicrosemiIGBT ModuleAPT65GP60JRDQ2IGBTIGBT ModuleAPT60M80JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 55A ISOTOPAPT65GP60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOPAPT65GP60JDF2MicrosemiIGBT Module
APT70SM70SMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A D3PAKAPT60N60BCSGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 60A TO247APT60S20BAPTIGBT ModuleAPT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A TO264| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที