ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT65GP60J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APT65GP60J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APT65GP60J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 65A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 431 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 7.4 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 130 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT65GP60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APT65GP60J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT65GP60J | APT65GP60JDQ2 | APT60S20S | APT60S20B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | APT | APT |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| ประเภท IGBT | PT | PT | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT65GP60 | APT65GP60 | - | - |
| ชุด | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1 mA | 1.25 mA | - | - |
| อินพุต | Standard | Standard | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 65A | 2.7V @ 15V, 65A | - | - |
| กทช Thermistor | No | No | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 431 W | 431 W | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | - | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | - | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 7.4 nF @ 25 V | 7.4 nF @ 25 V | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 130 A | 130 A | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT65GP60J PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APT65GP60J - Microchip Technology
APT60S20SAPTAPT60S20BAPTIGBT Module
APT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A TO264
APT70SM70BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A TO247
APT70SM70SMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A D3PAKAPT60N80JC3MicrosemiIGBT Module
APT6M100KMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1000V 6A TO220APT60N90JC3GMicrosemiIGBT ModuleAPT65GP60B2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 833W TMAX
APT75DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 75A SOT227APT66M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A T-MAXAPT65GP60JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT75DL120HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227APT60N60BCSGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 60A TO247APT60M90JNMicrosemiIGBT ModuleAPT65GP60JRDQ2IGBTIGBT ModuleAPT60TG60JRDMicrosemiIGBT ModuleAPT65GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT 600V 130A 431W SOT227| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที