ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT200A120G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APTGT200A120G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APTGT200A120G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 200A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 890 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 14 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 350 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 280 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APTGT200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APTGT200A120G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT200A120G | APTGT150A170D1G | APTGT150SK120D1G | APTGT200A120D3G |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 14 nF @ 25 V | 13 nF @ 25 V | 10.8 nF @ 25 V | 14 nF @ 25 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Single | Half Bridge |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 350 µA | 4 mA | 4 mA | 6 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APTGT200 | - | - | APTGT200 |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 200A | 2.4V @ 15V, 150A | 2.1V @ 15V, 150A | 2.1V @ 15V, 200A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 280 A | 280 A | 220 A | 300 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 890 W | 780 W | 700 W | 1040 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | D1 | D1 | D-3 Module |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | D1 | D1 | D3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1700 V | 1200 V | 1200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT200A120G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APTGT200A120G - Microchip Technology
APTGT150A170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 280A 780W D1APTGT200U170D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT150SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 220A 700W D1APTGT200U120D4GAPTIGBT ModuleAPTGT200U170D4GAPTIGBT ModuleAPTGT200A120D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 300A 1040W D3APTGT200DA120D3APTIGBT ModuleAPTGT150TDU60PGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 225A 480W SP6PAPTGT150DU120TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4APTGT200U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT200SK170D3APTIGBT ModuleAPTGT200TL60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 300A 652W SP6APTGT100X120TE3GAPTIGBT ModuleAPTGT200DU60TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 290A 625W SP4APTGT150A120D3GAPTIGBT ModuleAPTGT150X120E3GIGBT ModuleAPTGT200A170D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 400A 1250W D3APTGT200SK120D3APTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที