ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JAN1N1190R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JAN1N1190R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JAN1N1190R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 110 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/297 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1190 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JAN1N1190R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JAN1N1190R | JAN1N1188R | JAN1N1188 | JAN1N1186 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 35A | 35A |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 400 V | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 110 A | 1.4 V @ 110 A | 1.4 V @ 110 A | 1.4 V @ 110 A |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/297 | Military, MIL-PRF-19500/297 | Military, MIL-PRF-19500/297 | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1190 | 1N1188 | 1N1188 | 1N1186 |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JAN1N1190R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JAN1N1190R - Microchip Technology
JAN1N1196ARIRIGBT ModuleJAN1N1186ARMOTOROLAIGBT ModuleJAN1N1197ARIRIGBT ModuleJAN1N1195RIRIGBT Module
JAN1N1201RAMicrosemiIGBT ModuleJAN1N1187AIRIGBT ModuleJAN1N1188RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5JAN1N1199RAMicrosemiIGBT ModuleJAN1N1189BIRIGBT ModuleJAN1N1199RIRIGBT ModuleJAN1N1193ARIRIGBT ModuleJAN1N1186AIRIGBT ModuleJAN1N1188Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 35A DO5JAN1N1189AIRIGBT ModuleJAN1N1200RAMicrosemiIGBT ModuleJAN1N1198BIRIGBT ModuleJAN1N1186Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO5JAN1N1188AIRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที