ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANTX1N5822US
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANTX1N5822US คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANTX1N5822US
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/620 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANTX1N5822US
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANTX1N5822US | JANTX1N5816 | JANTX1N5711UR-1 | JANTX1N6075 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | DO-203AA (DO-4) | DO-213AA | A-PAK |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 150 V | 70 V | 150 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-213AA | A, Axial |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis, Stud Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/620 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | Military, MIL-PRF-19500/444 | Military, MIL-PRF-19500/503 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 155°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 20A | 33mA | 850mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 300pF @ 10V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | 950 mV @ 20 A | 1 V @ 15 mA | 2.04 V @ 9.4 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANTX1N5822US PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANTX1N5822US - Microchip Technology
JANTX1N6157ASemtech CorporationT MET BI 1500W 43VJANTX1N5816Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJANTX1N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA
JANTX1N5772Microchip TechnologyTVS DIODE 10CFLATPACKJANTX1N6075Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 850MA A-PAKJANTX1N5807USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
JANTX1N6053AMicrochip TechnologyTVS DIODE 33VWM 53.9VC DO13JANTX1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFJANTX1N5819UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
JANTX1N5807Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
JANTX1N6064AMicrochip TechnologyTVS DIODE 94VWM 152VC DO13JANTX1N5907Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 8.5VC DO13JANTX1N6106AMicrochip TechnologyTVS DIODE 7.6VWM 14.5VCJANTX1N6048AMicrochip TechnologyTVS DIODE 20VWM 33.2VC DO13JANTX1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
JANTX1N5819-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204ALJANTX1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5JANTX1N6045AMicrochip TechnologyTVS DIODE 15VWM 25.2VC DO13| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที